Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
APT18F60B
Product Overview
Proizvajalec:
Microchip Technology
DiGi Electronics Številka dela:
APT18F60B-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 19A TO247
Podroben opis:
N-Channel 600 V 19A (Tc) 335W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
13255906
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
APT18F60B Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Microchip Technology
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
19A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
390mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3550 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
335W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247 [B]
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
APT18F60
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
APT18F60B/S
High-Voltage Power Discretes and Modules
Dodatne informacije
Druga imena
APT18F60BMI
APT18F60BMI-ND
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
AOK20N60L
PROIZVAJALEC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
174
ŠTEVILKA DELA
AOK20N60L-DG
CENA ENOTE
2.65
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
IRFPC60LCPBF
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
653
ŠTEVILKA DELA
IRFPC60LCPBF-DG
CENA ENOTE
3.11
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
IXFR32N80Q3
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
57
ŠTEVILKA DELA
IXFR32N80Q3-DG
CENA ENOTE
25.07
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
IXFH22N60P
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
IXFH22N60P-DG
CENA ENOTE
5.01
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
2N6764
MOSFET N-CH 100V 38A TO3
APT10078SLLG
MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
NVHL075N065SC1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET, NC
NTBG030N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E