APT18M100B
Številka izdelka proizvajalca:

APT18M100B

Product Overview

Proizvajalec:

Microchip Technology

DiGi Electronics Številka dela:

APT18M100B-DG

Opis:

MOSFET N-CH 1000V 18A TO247
Podroben opis:
N-Channel 1000 V 18A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-247 [B]

Zaloga:

27 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13246759
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

APT18M100B Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Microchip Technology
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1000 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
18A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
700mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4845 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
625W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247 [B]
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
APT18M100

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
APT18M100(B,S) High-Voltage Power Discretes and Modules

Dodatne informacije

Druga imena
APT18M100BMI
APT18M100BMI-ND
Standardni paket
30

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
microsemi

APTC90DAM60CT1G

MOSFET N-CH 900V 59A SP1

microchip-technology

APT10078BLLG

MOSFET N-CH 1000V 14A TO247

microsemi

APT12067JLL

MOSFET N-CH 1200V 17A SOT227

microchip-technology

APT8030JVFR

MOSFET N-CH 800V 25A ISOTOP