APT38F80B2
Številka izdelka proizvajalca:

APT38F80B2

Product Overview

Proizvajalec:

Microchip Technology

DiGi Electronics Številka dela:

APT38F80B2-DG

Opis:

MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX
Podroben opis:
N-Channel 800 V 41A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

Zaloga:

37 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13251868
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

APT38F80B2 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Microchip Technology
Pakiranje
Tube
Serije
POWER MOS 8™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
41A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
240mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 2.5mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
8070 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1040W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
T-MAX™ [B2]
Paket / Primer
TO-247-3 Variant
Osnovna številka izdelka
APT38F80

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
APT38F80(B2,L) High-Voltage Power Discretes and Modules

Dodatne informacije

Druga imena
APT38F80B2MI-ND
APT38F80B2MI
Standardni paket
30

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
microchip-technology

APT5018SLLG

MOSFET N-CH 500V 27A D3PAK

microchip-technology

APT26M100JCU3

MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

microchip-technology

APT5020SVFRG

MOSFET N-CH 500V 26A D3PAK

microchip-technology

APT10M19SVFRG

MOSFET N-CH 100V 75A D3PAK