APT40M35JVR
Številka izdelka proizvajalca:

APT40M35JVR

Product Overview

Proizvajalec:

Microchip Technology

DiGi Electronics Številka dela:

APT40M35JVR-DG

Opis:

MOSFET N-CH 400V 93A SOT227
Podroben opis:
N-Channel 400 V 93A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227 (ISOTOP®)

Zaloga:

7 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12939462
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

APT40M35JVR Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Microchip Technology
Pakiranje
Tube
Serije
POWER MOS V®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
400 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
93A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
35mOhm @ 46.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 5mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
1065 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
20160 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
700W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Chassis Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-227 (ISOTOP®)
Paket / Primer
SOT-227-4, miniBLOC
Osnovna številka izdelka
APT40

Dodatne informacije

Druga imena
150-APT40M35JVR
Standardni paket
10

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

SQ2389ES-T1_BE3

MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3

vishay-siliconix

SUD19N20-90-BE3

MOSFET N-CH 200V 19A DPAK

vishay-siliconix

SQ4850EY-T1_BE3

MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC

rohm-semi

RTQ025P02HZGTR

MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6