Številka izdelka proizvajalca:
APT4F120S
Product Overview
Proizvajalec:
Microchip Technology
DiGi Electronics Številka dela:
APT4F120S-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1200V 4A D3PAK
Podroben opis:
N-Channel 1200 V 4A (Tc) 175W (Tc) Surface Mount D3PAK
Zaloga:
128 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12939320
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
APT4F120S Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Microchip Technology
Pakiranje
Tube
Serije
POWER MOS 8™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.2Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 500µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1385 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
175W (Tc)
Delovna temperatura
-
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
D3Pak
Paket / Primer
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Osnovna številka izdelka
APT4F120
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
150-APT4F120S
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF840PBF-BE3
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
SUD23N06-31-BE3
MOSFET N-CH 60V 9.1A/21.4A DPAK
APT9M100S
MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK