Številka izdelka proizvajalca:
APT58M80J
Product Overview
Proizvajalec:
Microchip Technology
DiGi Electronics Številka dela:
APT58M80J-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 60A SOT227
Podroben opis:
N-Channel 800 V 60A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Zaloga:
2 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13248223
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
APT58M80J Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Microchip Technology
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
60A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
110mOhm @ 43A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 5mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
570 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
17550 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
960W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Chassis Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-227
Paket / Primer
SOT-227-4, miniBLOC
Osnovna številka izdelka
APT58M80
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
APT58M80JMI-ND
APT58M80JMI
Standardni paket
10
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IXFN62N80Q3
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
8
ŠTEVILKA DELA
IXFN62N80Q3-DG
CENA ENOTE
44.05
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
IXFN48N60P
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
20
ŠTEVILKA DELA
IXFN48N60P-DG
CENA ENOTE
18.51
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
APT50M65B2FLLG
MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
APT6040BNG
MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
APT12057B2LLG
MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
