APT7F120S
Številka izdelka proizvajalca:

APT7F120S

Product Overview

Proizvajalec:

Microchip Technology

DiGi Electronics Številka dela:

APT7F120S-DG

Opis:

MOSFET N-CH 1200V 7A D3PAK
Podroben opis:
N-Channel 1200 V 7A (Tc) 335W (Tc) Surface Mount D3PAK

Zaloga:

277 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12939292
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

APT7F120S Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Microchip Technology
Pakiranje
Tube
Serije
POWER MOS 8™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
7A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.4Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2565 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
335W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
D3Pak
Paket / Primer
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Osnovna številka izdelka
APT7F120

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
150-APT7F120S
Standardni paket
30

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

IRFR9014TRPBF-BE3

MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK

onsemi

NTMFS5C404NT1G

MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN

microchip-technology

MSC750SMA170B4

TRANS SJT 1700V TO247-4

vishay-siliconix

SQ3426AEEV-T1_BE3

MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP