APT9M100B
Številka izdelka proizvajalca:

APT9M100B

Product Overview

Proizvajalec:

Microchip Technology

DiGi Electronics Številka dela:

APT9M100B-DG

Opis:

MOSFET N-CH 1000V 9A TO247
Podroben opis:
N-Channel 1000 V 9A (Tc) 335W (Tc) Through Hole TO-247 [B]

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu
13258351
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

APT9M100B Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Microchip Technology
Pakiranje
Tube
Serije
POWER MOS 8™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1000 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2605 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
335W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247 [B]
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
APT9M100

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
APT9M100(B,S) High-Voltage Power Discretes and Modules

Dodatne informacije

Standardni paket
30

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
microchip-technology

APT8052BFLLG

MOSFET N-CH 800V 15A TO247

microchip-technology

APTM20SKM08TG

MOSFET N-CH 200V 208A SP4

microsemi

2N6770

MOSFET N-CH 500V 12A TO3

microchip-technology

MSC035SMA070S

MOSFET N-CH 700V D3PAK