Številka izdelka proizvajalca:
APT9M100S/TR
Product Overview
Proizvajalec:
Microchip Technology
DiGi Electronics Številka dela:
APT9M100S/TR-DG
Opis:
MOSFET MOS8 1000 V 9 A TO-268
Podroben opis:
N-Channel 1000 V 9A (Tc) 335W (Tc) Surface Mount D3PAK
Zaloga:
329 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12978682
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
APT9M100S/TR Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Microchip Technology
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
POWER MOS 8™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1000 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2605 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
335W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
D3Pak
Paket / Primer
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Osnovna številka izdelka
APT9M100
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
150-APT9M100S/TRCT
150-APT9M100S/TR
Standardni paket
400
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DMN6010SCTBQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R
MSCSM120DAM31CTBL1NG
PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1
DMTH61M8SPSQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506