APTM10UM01FAG
Številka izdelka proizvajalca:

APTM10UM01FAG

Product Overview

Proizvajalec:

Microchip Technology

DiGi Electronics Številka dela:

APTM10UM01FAG-DG

Opis:

MOSFET N-CH 100V 860A SP6
Podroben opis:
N-Channel 100 V 860A (Tc) 2500W (Tc) Chassis Mount SP6

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu
13249564
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

APTM10UM01FAG Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Microchip Technology
Pakiranje
Bulk
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
860A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.6mOhm @ 275A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 12mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
2100 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
60000 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2500W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Chassis Mount
Paket naprav dobavitelja
SP6
Paket / Primer
SP6
Osnovna številka izdelka
APTM10

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
APTM10UM01FAG High-Voltage Power Discretes and Modules

Dodatne informacije

Druga imena
APTM10UM01FAGMI-ND
APTM10UM01FAGMI
Standardni paket
1

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
microchip-technology

APT10M11JVRU3

MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

microsemi

APT130SM70J

SICFET N-CH 700V 78A SOT227

microchip-technology

APT8020B2LLG

MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX

microsemi

2N6849U

MOSFET P-CH 100V 6.5A 18ULCC