Številka izdelka proizvajalca:
LND150N3-G-P002
Product Overview
Proizvajalec:
Microchip Technology
DiGi Electronics Številka dela:
LND150N3-G-P002-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Podroben opis:
N-Channel 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Zaloga:
1965 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12814877
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
LND150N3-G-P002 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Microchip Technology
Pakiranje
Cut Tape (CT)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
500 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
30mA (Tj)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
0V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1000Ohm @ 500µA, 0V
vgs(th) (maks) @ id
-
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
10 pF @ 25 V
Funkcija FET
Depletion Mode
Odvajanje moči (maks.)
740mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-92-3
Paket / Primer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Osnovna številka izdelka
LND150
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
150-LND150N3-G-P002DKR-DG
LND150N3-G-P002-DG
150-LND150N3-G-P002DKRINACTIVE
150-LND150N3-G-P002CT
150-LND150N3-G-P002DKR
150-LND150N3-G-P002TR
Standardni paket
2,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF3711ZCS
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
IRF7459
MOSFET N-CH 20V 12A 8SO
IRLR3636TRLPBF
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
