Številka izdelka proizvajalca:
LND150N8-G
Product Overview
Proizvajalec:
Microchip Technology
DiGi Electronics Številka dela:
LND150N8-G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Podroben opis:
N-Channel 500 V 30mA (Tj) 1.6W (Ta) Surface Mount SOT-89-3
Zaloga:
45419 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12796292
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
LND150N8-G Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Microchip Technology
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
500 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
30mA (Tj)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
0V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1000Ohm @ 500µA, 0V
vgs(th) (maks) @ id
-
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
10 pF @ 25 V
Funkcija FET
Depletion Mode
Odvajanje moči (maks.)
1.6W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-89-3
Paket / Primer
TO-243AA
Osnovna številka izdelka
LND150
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
LND150N8-GDKR
LND150N8-GTR
LND150N8-GCT
LND150N8-G-DG
Standardni paket
2,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
XR46000ESE
MOSFET N-CH 600V 1.5A SOT223
DN3545N3-G
MOSFET N-CH 450V 136MA TO92
DN2540N3-G-P003
MOSFET N-CH 400V 120MA TO92
