Številka izdelka proizvajalca:
MNS2N3810UP
Product Overview
Proizvajalec:
Microchip Technology
DiGi Electronics Številka dela:
MNS2N3810UP-DG
Opis:
DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Podroben opis:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78-6
Zaloga:
12975433
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
MNS2N3810UP Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistorski nizi
Proizvajalec
Microchip Technology
Pakiranje
Bulk
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
2 PNP (Dual)
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
50mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
60V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
250mV @ 100µA, 1mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
10µA (ICBO)
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
150 @ 1mA, 5V
Moč - največja
350mW
Frekvenca - prehod
-
Delovna temperatura
-65°C ~ 200°C (TJ)
Razred
Military
Kvalifikacija
MIL-PRF-19500/336
Vrsta montaže
Through Hole
Paket / Primer
TO-78-6 Metal Can
Paket naprav dobavitelja
TO-78-6
Osnovna številka izdelka
2N3810
Dodatne informacije
Druga imena
150-MNS2N3810UP
Standardni paket
1
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
CYTA44D TR
TRANSISTOR
CYTA4494D TR
TRANSISTOR
MMPQ3904 BK
TRANSISTOR