MSC080SMA120B
Številka izdelka proizvajalca:

MSC080SMA120B

Product Overview

Proizvajalec:

Microchip Technology

DiGi Electronics Številka dela:

MSC080SMA120B-DG

Opis:

SICFET N-CH 1200V 37A TO247-3
Podroben opis:
N-Channel 1200 V 37A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247-3

Zaloga:

143 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13251316
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

MSC080SMA120B Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Microchip Technology
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
37A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
20V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
100mOhm @ 15A, 20V
vgs(th) (maks) @ id
2.8V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
64 nC @ 20 V
Vgs (maks)
+23V, -10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
838 pF @ 1000 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
200W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247-3
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
MSC080

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
MSC080SMA120B

Dodatne informacije

Standardni paket
30

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
microchip-technology

APT8056BVRG

MOSFET N-CH 800V 16A TO247

microchip-technology

APT30M40JVFR

MOSFET N-CH 300V 70A ISOTOP

microchip-technology

APT34F100L

MOSFET N-CH 1000V 35A TO264

microchip-technology

APT5018SFLLG

MOSFET N-CH 500V 27A D3PAK