MSC750SMA170B
Številka izdelka proizvajalca:

MSC750SMA170B

Product Overview

Proizvajalec:

Microchip Technology

DiGi Electronics Številka dela:

MSC750SMA170B-DG

Opis:

SICFET N-CH 1700V 7A TO247-3
Podroben opis:
N-Channel 1700 V 7A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-247-3

Zaloga:

139 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12939505
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

MSC750SMA170B Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Microchip Technology
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1700 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
7A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
20V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
940mOhm @ 2.5A, 20V
vgs(th) (maks) @ id
3.25V @ 100µA (Typ)
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
11 nC @ 20 V
Vgs (maks)
+23V, -10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
184 pF @ 1360 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
68W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247-3
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
MSC750

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

Dodatne informacije

Druga imena
150-MSC750SMA170B
Standardni paket
90

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
infineon-technologies

IRFC4019EB

MOSFET N-CH 150V 17A DIE

vishay-siliconix

SQ4425EY-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC

microchip-technology

MSC080SMA120B4

SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4

vishay-siliconix

SQ2319ADS-T1_BE3

MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3