Številka izdelka proizvajalca:
TC6320K6-G
Product Overview
Proizvajalec:
Microchip Technology
DiGi Electronics Številka dela:
TC6320K6-G-DG
Opis:
MOSFET N/P-CH 200V 8DFN
Podroben opis:
Mosfet Array 200V Surface Mount 8-DFN (4x4)
Zaloga:
5313 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12810685
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TC6320K6-G Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Microchip Technology
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
N and P-Channel
Funkcija FET
-
Odtok do napetosti vira (vdss)
200V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
-
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
7Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
110pF @ 25V, 125pF @ 25V
Moč - največja
-
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-VDFN Exposed Pad
Paket naprav dobavitelja
8-DFN (4x4)
Osnovna številka izdelka
TC6320
Tehnični list in dokumenti
Sklop/izvor PCN
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TC6320K6-G-DG
TC6320K6-GCT
TC6320K6-GTR
TC6320K6-GDKR
Standardni paket
3,300
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF7329TRPBF
MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
HCT802TXV
MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A 6SMD
IRF7303PBF
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
