Številka izdelka proizvajalca:

TP5335MF-G-VAO

Product Overview

Proizvajalec:

Microchip Technology

DiGi Electronics Številka dela:

TP5335MF-G-VAO-DG

Opis:

MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MO

Podroben opis:

P-Channel 350 V 85mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount 6-DFN (2x2)

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu

13004384

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

TP5335MF-G-VAO Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

Microchip Technology

Pakiranje

-

Serije

-

Stanje izdelka

Active

Vrsta FET

P-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

350 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

85mA (Tj)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

4.5V, 10V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

30Ohm @ 200mA, 10V

vgs(th) (maks) @ id

2.4V @ 1mA

Vgs (maks)

±20V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

110 pF @ 25 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

360mW (Ta)

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Razred

Automotive

Kvalifikacija

AEC-Q100

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket naprav dobavitelja

6-DFN (2x2)

Paket / Primer

6-VDFN Exposed Pad

Osnovna številka izdelka

TP5335

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

TP5335MF-G-VAO-DG

Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena

150-TP5335MF-G-VAOTR

Standardni paket

3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

good-ark-semiconductor

BSS84AKW

MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.3A, -60

good-ark-semiconductor

SSFL0956

MOSFET, N-CH, SINGLE, 4A, 100V,

goford-semiconductor

GT090N06S

N60V,14A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.4V,

good-ark-semiconductor

GSFC0603

MOSFET, P-CH, SINGLE, -3A, -60V,