VN2460N3-G
Številka izdelka proizvajalca:

VN2460N3-G

Product Overview

Proizvajalec:

Microchip Technology

DiGi Electronics Številka dela:

VN2460N3-G-DG

Opis:

MOSFET N-CH 600V 160MA TO92-3
Podroben opis:
N-Channel 600 V 160mA (Tj) 1W (Ta) Through Hole TO-92-3

Zaloga:

234 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12857829
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

VN2460N3-G Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Microchip Technology
Pakiranje
Bag
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
160mA (Tj)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
20Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 2mA
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
150 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-92-3
Paket / Primer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Osnovna številka izdelka
VN2460

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Standardni paket
1,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
onsemi

NTMFS5C410NLTWFT1G

MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN

renesas-electronics-america

UPA2822T1L-E1-AT

MOSFET N-CH 30V 34A 8HWSON

renesas-electronics-america

HAT2279H-EL-E

MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK

onsemi

NVMFS6B85NLWFT1G

MOSFET N-CH 100V 5.6A/19A 5DFN