Številka izdelka proizvajalca:
APT10M09B2VFRG
Product Overview
Proizvajalec:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Številka dela:
APT10M09B2VFRG-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
Podroben opis:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 625W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Zaloga:
13261425
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
APT10M09B2VFRG Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Microsemi
Pakiranje
-
Serije
POWER MOS V®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
100A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 2.5mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
350 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
9875 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
625W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
T-MAX™ [B2]
Paket / Primer
TO-247-3 Variant
Dodatne informacije
Druga imena
150-APT10M09B2VFRG
APT10M09B2VFRG-ND
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
APT10026L2LLG
MOSFET N-CH 1000V 38A 264 MAX
APT50M65JLL
MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
APT50M75JLLU2
MOSFET N-CH 500V 51A SOT227
