APT17N80BC3G
Številka izdelka proizvajalca:

APT17N80BC3G

Product Overview

Proizvajalec:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Številka dela:

APT17N80BC3G-DG

Opis:

MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Podroben opis:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-3

Zaloga:

13247758
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

APT17N80BC3G Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Microsemi
Pakiranje
-
Serije
CoolMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
17A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
290mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.9V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2250 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
208W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247-3
Paket / Primer
TO-247-3

Dodatne informacije

Druga imena
150-APT17N80BC3G
APT17N80BC3G-ND
Standardni paket
30

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
microchip-technology

APT5010LVRG

MOSFET N-CH 500V 47A TO264

microchip-technology

APT8011JFLL

MOSFET N-CH 800V 51A ISOTOP

microchip-technology

APT30M36LLLG

MOSFET N-CH 300V 84A TO264

microchip-technology

APT34F100B2

MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX