Številka izdelka proizvajalca:
APT25SM120B
Product Overview
Proizvajalec:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Številka dela:
APT25SM120B-DG
Opis:
SICFET N-CH 1200V 25A TO247
Podroben opis:
N-Channel 1200 V 25A (Tc) 175W (Tc) Through Hole TO-247
Zaloga:
13261549
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
APT25SM120B Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Microsemi
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
25A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
20V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
175mOhm @ 10A, 20V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
72 nC @ 20 V
Vgs (maks)
+25V, -10V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
175W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247
Paket / Primer
TO-247-3
Dodatne informacije
Druga imena
APT25SM120B-ND
150-APT25SM120B
Standardni paket
1
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
APT30M19JVFR
MOSFET N-CH 300V 130A ISOTOP
APT11F80B
MOSFET N-CH 800V 12A TO247
APT20M11JFLL
MOSFET N-CH 200V 176A ISOTOP
