APT6017B2LLG
Številka izdelka proizvajalca:

APT6017B2LLG

Product Overview

Proizvajalec:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Številka dela:

APT6017B2LLG-DG

Opis:

MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX
Podroben opis:
N-Channel 600 V 35A (Tc) 500W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

Zaloga:

13259944
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

APT6017B2LLG Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Microsemi
Pakiranje
-
Serije
POWER MOS 7®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
35A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
170mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 2.5mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4500 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
500W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
T-MAX™ [B2]
Paket / Primer
TO-247-3 Variant

Dodatne informacije

Druga imena
150-APT6017B2LLG
APT6017B2LLG-ND
Standardni paket
30

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
microsemi

2N7227U

MOSFET N-CH 400V 14A TO267AB

microchip-technology

APT13F120B

MOSFET N-CH 1200V 14A TO247

microchip-technology

APT10078BFLLG

MOSFET N-CH 1000V 14A TO247

microchip-technology

APT66F60B2

MOSFET N-CH 600V 70A T-MAX