JAN2N7335
Številka izdelka proizvajalca:

JAN2N7335

Product Overview

Proizvajalec:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Številka dela:

JAN2N7335-DG

Opis:

MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
Podroben opis:
Mosfet Array 100V 750mA 1.4W Through Hole

Zaloga:

12930203
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

JAN2N7335 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Microsemi
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
4 P-Channel
Funkcija FET
-
Odtok do napetosti vira (vdss)
100V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
750mA
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
-
Moč - največja
1.4W
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Razred
Military
Kvalifikacija
MIL-PRF-19500/599
Vrsta montaže
Through Hole
Paket / Primer
14-DIP (0.300", 7.62mm)
Osnovna številka izdelka
2N733

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

Dodatne informacije

Druga imena
JAN2N7335-MIL
150-JAN2N7335
JAN2N7335-DG
Standardni paket
1

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
alpha-and-omega-semiconductor

AON2812

MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 6DFN

rohm-semi

SP8K33TB1

MOSFET 2N-CH 60V 8SOP

rohm-semi

LP8M3FP8TB1

MOSFET N-CH SOP8G

onsemi

FDS6812A

MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8SOIC