Številka izdelka proizvajalca:

JANSR2N7381

Product Overview

Proizvajalec:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Številka dela:

JANSR2N7381-DG

Opis:

MOSFET N-CH 200V 9.4A TO257

Podroben opis:

N-Channel 200 V 9.4A (Tc) 2W (Ta), 75W (Tc) Through Hole TO-257

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu

13253619

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

JANSR2N7381 Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

Microsemi

Pakiranje

-

Serije

-

Stanje izdelka

Obsolete

Vrsta FET

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

200 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

9.4A (Tc)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

12V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

490mOhm @ 9.4A, 12V

vgs(th) (maks) @ id

4V @ 1mA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

50 nC @ 12 V

Vgs (maks)

±20V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

2W (Ta), 75W (Tc)

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Razred

Military

Kvalifikacija

MIL-PRF-19500/614

Vrsta montaže

Through Hole

Paket naprav dobavitelja

TO-257

Paket / Primer

TO-257-3

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

Dodatne informacije

Druga imena

JANSR2N7381-ND

150-JANSR2N7381

Standardni paket

1

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

Not Applicable

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

microchip-technology

APT10050JVFR

MOSFET N-CH 1000V 19A ISOTOP

microchip-technology

APT12057JFLL

MOSFET N-CH 1200V 19A ISOTOP

microchip-technology

APT24M80S

MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK

APTM50UM19SG

MOSFET N-CH 500V 163A MODULE