Številka izdelka proizvajalca:
JANTX2N6798U
Product Overview
Proizvajalec:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Številka dela:
JANTX2N6798U-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 5.5A 18ULCC
Podroben opis:
N-Channel 200 V 5.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 18-ULCC (9.14x7.49)
Zaloga:
12930009
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
JANTX2N6798U Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Microsemi
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
420mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
42.07 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Razred
Military
Kvalifikacija
MIL-PRF-19500/557
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
18-ULCC (9.14x7.49)
Paket / Primer
18-CLCC
Dodatne informacije
Druga imena
JANTX2N6798U-MIL
JANTX2N6798U-DG
150-JANTX2N6798U
Standardni paket
1
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
AOY2N60
MOSFET N-CH 600V 2A TO251
STP50N65DM6
MOSFET N-CH 650V 33A TO220
JANTXV2N6798U
MOSFET N-CH 200V 5.5A 18ULCC
