Številka izdelka proizvajalca:
JANTXV2N6768
Product Overview
Proizvajalec:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Številka dela:
JANTXV2N6768-DG
Opis:
MOSFET N-CH 400V 14A TO204AE
Podroben opis:
N-Channel 400 V 14A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-204AE (TO-3)
Zaloga:
12966842
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
JANTXV2N6768 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Microsemi
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
400 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
14A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
400mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
4W (Ta), 150W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Razred
Military
Kvalifikacija
MIL-PRF-19500/543
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-204AE (TO-3)
Paket / Primer
TO-204AE
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
JANTXV2N6768-MIL
150-JANTXV2N6768
JANTXV2N6768-DG
Standardni paket
1
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPD088N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
IPD048N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
IPD220N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3