Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
BUK4D110-20PX
Product Overview
Proizvajalec:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Številka dela:
BUK4D110-20PX-DG
Opis:
SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Podroben opis:
P-Channel 20 V 3.4A (Ta), 6.7A (Tc) 2W (Ta), 7.5W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
Zaloga:
6000 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13001225
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BUK4D110-20PX Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Nexperia
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
3.4A (Ta), 6.7A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.5V, 8V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
96mOhm @ 3.4A, 8V
vgs(th) (maks) @ id
1.3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
5 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±12V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
365 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2W (Ta), 7.5W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DFN2020MD-6
Paket / Primer
6-UDFN Exposed Pad
Osnovna številka izdelka
BUK4D
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
BUK4D110-20P
Dodatne informacije
Druga imena
1727-BUK4D110-20PXDKR
1727-BUK4D110-20PXCT
5202-BUK4D110-20PXTR
934661724115
1727-BUK4D110-20PXTR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TW140N120C,S1F
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140M
IXFX130N65X3
DISCRETE MOSFET 130A 650V X3 PLU
GT105N10T
MOSFET N-CH 100V 55A TO-220
IRFP4468PBFXKMA1
TRENCH >=100V PG-TO247-3