Številka izdelka proizvajalca:
PEMB1,115
Product Overview
Proizvajalec:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Številka dela:
PEMB1,115-DG
Opis:
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666
Podroben opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
Zaloga:
12831145
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
PEMB1,115 Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistorski nizi, prednapolnjeni
Proizvajalec
Nexperia
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta tranzistorja
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
100mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
50V
Upor - osnova (R1)
22kOhms
Upor - osnova oddajnika (R2)
22kOhms
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 5V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
150mV @ 500µA, 10mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
1µA
Frekvenca - prehod
-
Moč - največja
300mW
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
SOT-563, SOT-666
Paket naprav dobavitelja
SOT-666
Osnovna številka izdelka
PEMB1
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
PEMB1 T/R-DG
PEMB1 T/R
2156-PEMB1,115-1727
934056869115
Standardni paket
4,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
RN2903FE(TE85L,F)
PROIZVAJALEC
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA NA VOLJO
3450
ŠTEVILKA DELA
RN2903FE(TE85L,F)-DG
CENA ENOTE
0.04
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
RN2908FE(TE85L,F)
PROIZVAJALEC
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA NA VOLJO
7
ŠTEVILKA DELA
RN2908FE(TE85L,F)-DG
CENA ENOTE
0.04
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
PUMB13,115
TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP
PIMH9,115
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSOP
PUMD48/ZLH
TRANS PREBIAS