Številka izdelka proizvajalca:
PMN120ENEAX
Product Overview
Proizvajalec:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Številka dela:
PMN120ENEAX-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 2.5A 6TSOP
Podroben opis:
N-Channel 60 V 2.5A (Ta) 670mW (Ta), 7.5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Zaloga:
10410 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12831341
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
PMN120ENEAX Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Nexperia
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.5A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
123mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.7V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
196 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
670mW (Ta), 7.5W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
6-TSOP
Paket / Primer
SC-74, SOT-457
Osnovna številka izdelka
PMN120
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
1727-8660-6
1727-8660-2
1727-8660-1
5202-PMN120ENEAXTR
934069658115
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
PSMN4R3-30PL,127
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
PSMN6R5-80BS,118
MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
AUIRLL024N
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT-223
