Številka izdelka proizvajalca:
2N3019
Product Overview
Proizvajalec:
NTE Electronics, Inc
DiGi Electronics Številka dela:
2N3019-DG
Opis:
TRANS NPN 80V 1A TO39
Podroben opis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 100MHz 800 mW Through Hole TO-39
Zaloga:
4 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12922281
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
2N3019 Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Enojni bipolarni tranzistorji
Proizvajalec
Pakiranje
Bag
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
NPN
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
1 A
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
80 V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
500mV @ 50mA, 500mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
10nA (ICBO)
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Moč - največja
800 mW
Frekvenca - prehod
100MHz
Delovna temperatura
175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket / Primer
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Paket naprav dobavitelja
TO-39
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
2368-2N3019
Standardni paket
1
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stanje uredbe REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
