Številka izdelka proizvajalca:
NTE2960
Product Overview
Proizvajalec:
NTE Electronics, Inc
DiGi Electronics Številka dela:
NTE2960-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 900V 7A TO220
Podroben opis:
Mosfet Array 900V 7A 40W Through Hole TO-220 Full Pack
Zaloga:
100 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12925113
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
NTE2960 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Pakiranje
Bag
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel
Funkcija FET
-
Odtok do napetosti vira (vdss)
900V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
7A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1380pF @ 25V
Moč - največja
40W
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C
Vrsta montaže
Through Hole
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Paket naprav dobavitelja
TO-220 Full Pack
Osnovna številka izdelka
NTE29
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
2368-NTE2960
Standardni paket
1
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stanje uredbe REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
ECH8659-TL-W
MOSFET 2N-CH 30V 7A SOT28
EFC6602R-A-TR
MOSFET 2N-CH EFCP2718
NDS9953A
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
