Številka izdelka proizvajalca:
BUK753R8-80E,127
Product Overview
Proizvajalec:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Številka dela:
BUK753R8-80E,127-DG
Opis:
TRANSISTOR >30MHZ
Podroben opis:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole TO-220AB
Zaloga:
1749 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12940173
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BUK753R8-80E,127 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
NXP Semiconductors
Pakiranje
Tube
Serije
TrenchMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
80 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
120A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
169 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
12030 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
349W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220AB
Paket / Primer
TO-220-3
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
NEXNXPBUK753R8-80E,127
2156-BUK753R8-80E127
Standardni paket
257
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
Not applicable
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BUK7535-55A,127
PFET, 35A I(D), 55V, 0.035OHM, 1
FDG315N
2A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET
AUIRLR3114Z
AUTOMOTIVE POWER MOSFET
