Številka izdelka proizvajalca:
BUK769R6-80E,118
Product Overview
Proizvajalec:
NXP Semiconductors
DiGi Electronics Številka dela:
BUK769R6-80E,118-DG
Opis:
NEXPERIA BUK769R6-80E - 75A, 80V
Podroben opis:
N-Channel 80 V 75A (Tc) 182W (Tc) Surface Mount D2PAK
Zaloga:
486 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12967892
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BUK769R6-80E,118 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
NXP Semiconductors
Pakiranje
Bulk
Serije
TrenchMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
80 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
75A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
9.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
59.8 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4682 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
182W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
D2PAK
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
2156-BUK769R6-80E,118-954
Standardni paket
304
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
PHP20N06T,127
NEXPERIA PHP20N06T - 20.3A, 55V,
MTB15N06VT4
TRANS MOSFET N-CH 60V 15A 3-PIN(
IPB80N04S2H4-ATMA2
N-CHANNEL POWER MOSFET
