Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
BUK9E4R9-60E,127
Product Overview
Proizvajalec:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Številka dela:
BUK9E4R9-60E,127-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
Podroben opis:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 234W (Tc) Through Hole I2PAK
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12868887
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BUK9E4R9-60E,127 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
NXP Semiconductors
Pakiranje
-
Serije
TrenchMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
100A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.1V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
65 nC @ 5 V
Vgs (maks)
±10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
9710 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
234W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
I2PAK
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
BUK9
Dodatne informacije
Druga imena
2156-BUK9E4R9-60E127-NX
934066657127
BUK9E4R960E127
NEXNXPBUK9E4R9-60E,127
568-9876-5
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
N0603N-S23-AY
PROIZVAJALEC
Renesas Electronics Corporation
KOLIČINA NA VOLJO
1470
ŠTEVILKA DELA
N0603N-S23-AY-DG
CENA ENOTE
1.20
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
IRFSL3306PBF
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
IRFSL3306PBF-DG
CENA ENOTE
1.04
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
IPI040N06N3GXKSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
500
ŠTEVILKA DELA
IPI040N06N3GXKSA1-DG
CENA ENOTE
0.83
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF9630STRLPBF
MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
IRF9Z14PBF
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
IRFBC40APBF
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
IRFD014PBF
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP