Številka izdelka proizvajalca:
PH9930L,115
Product Overview
Proizvajalec:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Številka dela:
PH9930L,115-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 63A LFPAK56
Podroben opis:
N-Channel 30 V 63A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Zaloga:
12822446
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
PH9930L,115 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
NXP Semiconductors
Pakiranje
-
Serije
TrenchMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
63A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
9.9mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.15V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
13.3 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1565 pF @ 12 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
62.5W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
LFPAK56, Power-SO8
Paket / Primer
SC-100, SOT-669
Osnovna številka izdelka
PH99
Dodatne informacije
Druga imena
954-PH9930L115
PH9930L T/R-DG
934061155115
PH9930L T/R
Standardni paket
1,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFS4227TRLPBF
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
MMIX1F420N10T
MOSFET N-CH 100V 334A 24SMPD
BUK7C5R4-100EJ
MOSFET N-CH 100V D2PAK-7
