Številka izdelka proizvajalca:
PHE13003A126
Product Overview
Proizvajalec:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Številka dela:
PHE13003A126-DG
Opis:
NOW WEEN - PHE13003A - POWER BIP
Podroben opis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 1 A 2.1 W Through Hole TO-92-3
Zaloga:
12947564
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
PHE13003A126 Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Enojni bipolarni tranzistorji
Proizvajalec
NXP Semiconductors
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
NPN
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
1 A
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
400 V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
1.5V @ 250mA, 750mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
1mA
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
10 @ 400mA, 5V
Moč - največja
2.1 W
Frekvenca - prehod
-
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket / Primer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Paket naprav dobavitelja
TO-92-3
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
WENNXPPHE13003A126
2156-PHE13003A126
Standardni paket
4,609
Okoljska in izvozna klasifikacija
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
ABC856BW-HF
TRANS PNP 65V 0.1A SOT323
PMSTA55,115
NOW NEXPERIA PMSTA55 - SMALL SIG
NZT45H8
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 8A, 60
