2N7002L
Številka izdelka proizvajalca:

2N7002L

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

2N7002L-DG

Opis:

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Podroben opis:
N-Channel 60 V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Zaloga:

91754 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12921088
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

2N7002L Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
115mA (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
50 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
200mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-23-3
Paket / Primer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Osnovna številka izdelka
2N7002

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
2N7002LCT
2N7002LTR
2N7002LDKR
2156-2N7002L-OS
ONSONS2N7002L
Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

SIJ400DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8

nexperia

PSMN7R0-100BS,118

MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

onsemi

FDP040N06

MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3

vishay-siliconix

SIHA240N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 12A TO220