Številka izdelka proizvajalca:
2SB1216S-E
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
2SB1216S-E-DG
Opis:
TRANS PNP 100V 4A TP
Podroben opis:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 130MHz 1 W Through Hole TP
Zaloga:
12835690
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
2SB1216S-E Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Enojni bipolarni tranzistorji
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta tranzistorja
PNP
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
4 A
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
100 V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
500mV @ 200mA, 2A
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
1µA (ICBO)
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
140 @ 500mA, 5V
Moč - največja
1 W
Frekvenca - prehod
130MHz
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket / Primer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paket naprav dobavitelja
TP
Osnovna številka izdelka
2SB1216
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
2156-2SB1216S-E
ONSONS2SB1216S-E
1990-2SB1216S-E
Standardni paket
500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
2SA2186-AN
TRANS PNP 50V 2A 3NMP
2SC6096-TD-H
TRANS NPN 100V 2A PCP
2SA1768T-AN
TRANS PNP 160V 0.7A 3NMP
