Številka izdelka proizvajalca:
2SD1347T-AE
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
2SD1347T-AE-DG
Opis:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Podroben opis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 3 A 150MHz 1 W Through Hole 3-MP
Zaloga:
1000 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12941219
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
2SD1347T-AE Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Enojni bipolarni tranzistorji
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Bulk
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
NPN
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
3 A
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
50 V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
500mV @ 100mA, 2A
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
1µA (ICBO)
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 2V
Moč - največja
1 W
Frekvenca - prehod
150MHz
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Razred
-
Kvalifikacija
-
Vrsta montaže
Through Hole
Paket / Primer
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Paket naprav dobavitelja
3-MP
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
2156-2SD1347T-AE
ONSONS2SD1347T-AE
Standardni paket
683
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
Not applicable
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
HCPL4502SDM
OPTOCOUPLER DC-IN 1-CH TRANSISTO
2SC5310-6-TB-E
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
BC859BMTF
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
