Številka izdelka proizvajalca:
2SD1816S-E
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
2SD1816S-E-DG
Opis:
TRANS NPN 100V 4A TP
Podroben opis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 4 A 180MHz 1 W Through Hole TP
Zaloga:
12837853
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
2SD1816S-E Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Enojni bipolarni tranzistorji
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta tranzistorja
NPN
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
4 A
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
100 V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
400mV @ 200mA, 2A
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
1µA (ICBO)
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 500mA, 5V
Moč - največja
1 W
Frekvenca - prehod
180MHz
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket / Primer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paket naprav dobavitelja
TP
Osnovna številka izdelka
2SD1816
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
2N6517CTA
TRANS NPN 400V 0.5A TO92-3
KSP63TA
TRANS PNP DARL 30V 0.5A TO92-3
KSC1009CYTA
TRANS NPN 140V 0.7A TO92-3