Številka izdelka proizvajalca:
2SD734F
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
2SD734F-DG
Opis:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Podroben opis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 700 mA 250MHz 600 mW Through Hole 3-NP
Zaloga:
39500 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12976780
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
2SD734F Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Enojni bipolarni tranzistorji
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Bulk
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta tranzistorja
NPN
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
700 mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
20 V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
300mV @ 50mA, 500mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
1µA (ICBO)
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
160 @ 50mA, 2V
Moč - največja
600 mW
Frekvenca - prehod
250MHz
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket / Primer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Paket naprav dobavitelja
3-NP
Dodatne informacije
Druga imena
2156-2SD734F
Standardni paket
2,219
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
2SD734F-AA
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
2SA812B-T1B-AT
2SA812B-T1B-AT - PNP SILICON EPI
SBC847BLT1G-M01
SBC847 - TRANS BJTS NPN 45V
