2SJ652-1E
Številka izdelka proizvajalca:

2SJ652-1E

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

2SJ652-1E-DG

Opis:

MOSFET P-CH 60V 28A TO220F-3SG
Podroben opis:
P-Channel 60 V 28A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Through Hole TO-220F-3SG

Zaloga:

12920749
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

2SJ652-1E Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
28A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
38mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
-
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4360 pF @ 20 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2W (Ta), 30W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220F-3SG
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
2SJ652

Dodatne informacije

Druga imena
2SJ652-1E-DG
2SJ652-1EOS
Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativni modeli

ŠTEVILO DELA
AOTF409
PROIZVAJALEC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
AOTF409-DG
CENA ENOTE
0.48
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
FQPF47P06
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
FQPF47P06-DG
CENA ENOTE
1.38
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

SISS42DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 11.8/40.5A PPAK

vishay-siliconix

SUP60030E-GE3

MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB

vishay-siliconix

SUM110P04-05-E3

MOSFET P-CH 40V 110A TO263

vishay-siliconix

SUD23N06-31-T4-GE3

MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252