Številka izdelka proizvajalca:
2SJ652-1E
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
2SJ652-1E-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 28A TO220F-3SG
Podroben opis:
P-Channel 60 V 28A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Through Hole TO-220F-3SG
Zaloga:
12920749
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
2SJ652-1E Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
28A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
38mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
-
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4360 pF @ 20 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2W (Ta), 30W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220F-3SG
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
2SJ652
Dodatne informacije
Druga imena
2SJ652-1E-DG
2SJ652-1EOS
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SISS42DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 11.8/40.5A PPAK
SUP60030E-GE3
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
SUM110P04-05-E3
MOSFET P-CH 40V 110A TO263
