Številka izdelka proizvajalca:
2SK4209
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
2SK4209-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 12A TO3PB
Podroben opis:
N-Channel 800 V 12A (Ta) 2.5W (Ta), 190W (Tc) Through Hole TO-3PB
Zaloga:
12832685
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
2SK4209 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
12A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.08Ohm @ 6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1500 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.5W (Ta), 190W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-3PB
Paket / Primer
TO-3P-3, SC-65-3
Osnovna številka izdelka
2SK4209
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Standardni paket
100
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
FQA13N80-F109
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
76
ŠTEVILKA DELA
FQA13N80-F109-DG
CENA ENOTE
2.65
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
2SK3704
MOSFET N-CH 60V 45A TO220ML
BUK7Y3R0-40HX
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
PSMN2R5-30YL,115
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
