Številka izdelka proizvajalca:
3LN01C-TB-E
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
3LN01C-TB-E-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
Podroben opis:
N-Channel 30 V 150mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-59-3/CP3
Zaloga:
12836492
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
3LN01C-TB-E Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
150mA (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.5V, 4V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.7Ohm @ 80mA, 4V
vgs(th) (maks) @ id
-
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
1.58 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
7 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
250mW (Ta)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SC-59-3/CP3
Paket / Primer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Osnovna številka izdelka
3LN01
Dodatne informacije
Druga imena
3LN01C-TB-EOSTR
3LN01C-TB-EOSCT
3LN01C-TB-E-DG
2156-3LN01C-TB-E-ONTR
3LN01C-TB-EOSDKR
ONSONS3LN01C-TB-E
2832-3LN01C-TB-ETR
2832-3LN01C-TB-E-488
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
NTS4001NT1G
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
NTS4001NT1G-DG
CENA ENOTE
0.05
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FQP13N50C
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
2SK4089LS
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220FI
FQB9N08LTM
MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK