Številka izdelka proizvajalca:
DTD113E
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
DTD113E-DG
Opis:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Podroben opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 350 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Zaloga:
25000 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12934311
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
DTD113E Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Enojni, predpripravljen bipolarni tranzistorji
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Bulk
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
NPN - Pre-Biased
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
100 mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
50 V
Upor - osnova (R1)
1 kOhms
Upor - osnova oddajnika (R2)
1 kOhms
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
3 @ 5mA, 10V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
500nA
Moč - največja
350 mW
Razred
-
Kvalifikacija
-
Vrsta montaže
Through Hole
Paket / Primer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Paket naprav dobavitelja
TO-92 (TO-226)
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
ONSONSDTD113E
2156-DTD113E
Standardni paket
11,539
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
