Številka izdelka proizvajalca:
FCD260N65S3
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FCD260N65S3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 12A TO252
Podroben opis:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Zaloga:
12838965
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FCD260N65S3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
SuperFET® III
Stanje izdelka
Not For New Designs
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
12A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
260mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 1.2mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1010 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
90W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252AA
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
FCD260
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
488-FCD260N65S3CT
488-FCD260N65S3DKR
FCD260N65S3-DG
488-FCD260N65S3TR
2156-FCD260N65S3-488
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FDP34N33
MOSFET N-CH 330V TO220-3
FQB8N90CTM
MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK
FQH90N15
MOSFET N-CH 150V 90A TO247-3
