Številka izdelka proizvajalca:
FCMT250N65S3
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FCMT250N65S3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 12A POWER88
Podroben opis:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount Power88
Zaloga:
3000 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12846904
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FCMT250N65S3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
SuperFET® III
Stanje izdelka
Not For New Designs
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
12A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
250mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 1.2mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1010 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
90W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
Power88
Paket / Primer
4-PowerTSFN
Osnovna številka izdelka
FCMT250
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
FCMT250N65S3OSCT
FCMT250N65S3-DG
FCMT250N65S3OSTR
FCMT250N65S3OSDKR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPL65R160CFD7AUMA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
IPL65R160CFD7AUMA1-DG
CENA ENOTE
1.63
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
HUFA76429D3S
MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
FDP083N15A-F102
MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
FDMC7672S
MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP
