Številka izdelka proizvajalca:
FCP360N65S3R0
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FCP360N65S3R0-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 10A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220-3
Zaloga:
411 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12851229
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FCP360N65S3R0 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tube
Serije
SuperFET® III
Stanje izdelka
Not For New Designs
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
10A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
360mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
730 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
83W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
FCP360
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
2156-FCP360N65S3R0-488
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STP16N65M2
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
STP16N65M2-DG
CENA ENOTE
1.01
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
STP13NM60N
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
649
ŠTEVILKA DELA
STP13NM60N-DG
CENA ENOTE
2.01
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FQI8N60CTU
MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
FDB8896-F085
MOSFET N-CH 30V 19A/93A TO263AB
FCP220N80
MOSFET N-CH 800V 23A TO220-3