Številka izdelka proizvajalca:
FCP850N80Z
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FCP850N80Z-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 136W (Tc) Through Hole TO-220-3
Zaloga:
766 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12847323
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FCP850N80Z Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tube
Serije
SuperFET® II
Stanje izdelka
Not For New Designs
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
8A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
850mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 600µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1315 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
136W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
FCP850
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
2156-FCP850N80Z-OS
ONSONSFCP850N80Z
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IXTP4N65X2
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
232
ŠTEVILKA DELA
IXTP4N65X2-DG
CENA ENOTE
1.12
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FDN361AN
MOSFET N-CH 30V 1.8A SUPERSOT3
FDD8778
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
BSD314SPEL6327HTSA1
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6
