FDA38N30
Številka izdelka proizvajalca:

FDA38N30

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDA38N30-DG

Opis:

MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN
Podroben opis:
N-Channel 300 V 38A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN

Zaloga:

17406 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12848094
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FDA38N30 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tube
Serije
UniFET™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
300 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
38A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
85mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2600 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
312W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-3PN
Paket / Primer
TO-3P-3, SC-65-3
Osnovna številka izdelka
FDA38

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
FDA38N30
HTML tehnični list
FDA38N30-DG
Tehnični listi
FDA38N30

Dodatne informacije

Druga imena
2832-FDA38N30
Standardni paket
30

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
onsemi

FQD13N06LTM

MOSFET N-CH 60V 11A DPAK

alpha-and-omega-semiconductor

AOT22N50L

MOSFET N-CH 500V 22A TO220

onsemi

FDB8441-F085

MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB

alpha-and-omega-semiconductor

AOD8N25

MOSFET N CH 250V 8A TO252